2024年12月23日，國家知識產權局發布第二十五屆中國專利獎預獲獎結果，山東天岳先進科技股份有限公司作為專利權人申報的專利“一種高平整度、低損傷大直徑單晶碳化硅襯底”（專利號：ZL201811205291.2）榮獲第二十五屆中國專利銀獎。 ...
歲末之際，喜訊傳來。由財聯社主辦“破局·增長｜第七屆投資年會”于2024年12月27日隆重舉辦，天岳先進憑借堅實的綜合實力和卓越的創新力，榮獲“年度最具投資價值獎”。這一榮譽不僅是對我們過去一年成績的認可，更是對公司未來發展潛力的肯定。 當今之世，科技浪潮洶涌澎湃，碳化硅襯底...
天岳先進成功獲得中知（北京）認證有限公司頒發的基于ISO 56005的《創新與知識產權管理能力》等級證書（3級），成為濟南市首家、國內寬禁帶半導體材料領域首家獲此殊榮的企業，標志著天岳先進在創新管理和知識產權管理方面達到新的高度。 《創新管理—知識產權管...
2024年12月11日至13日，全球知名的日本國際半導體展覽會SEMICON JAPAN在東京隆重舉行，展會現場人流如織。來自全球的1100多家器件制造商、芯片制造商、設備供應商和材料企業，以及涉足汽車和人工智能等半導體智能應用領域的企業紛紛亮相。全球頂尖企業機構和技術專家，共同暢想半導體行業蓬勃發展的美好未來，和對快...
12月12日晚，“2024行家極光獎”頒獎典禮在深圳舉辦，在這場行業內的年度盛會中天岳先進榮獲“8英寸SiC先鋒獎”和“中國SiC襯底影響力企業”獎項均位列首位，彰顯了天岳先進的實力。 本次頒獎典禮，2024行家極光獎特別設立了備受矚目的“...
碳化硅單晶半導體材料具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優異物理特性，廣泛應用于電動汽車、智能電網、光伏儲能、軌道交通等領域，是支撐未來數字化、低碳產業的核心基礎材料。尤其在10kV 以上的高壓大功率領域，P型碳化硅材料，具有更好的應用前景。 技術引領 助力低碳智能電網 ...
山東省碳化硅材料重點實驗室第三次學術委員會會議在北京順利召開。 中國工程院院士、實驗室學術委員會主任干勇院士，中國科學院院士、實驗室副主任江風益院士、中國科學院院士李樹深、中國工程院院士凌文以及學術委員會專家、實驗室學術骨干等20余位專家及領導出席了會議。 ...
2月25日上午，山東省委常委、濟南市委書記劉強帶隊調研走訪天岳先進，精準對接企業需求，在深入了解企業經營情況后，對2023年取得的成績給與充分肯定。劉強書記表示，希望天岳先進立足自身優勢，堅持創新引領，加強技術攻關，不斷提升核心競爭力，推動產業能級實現更高躍升。市委常委、秘書長韓偉等參加活動。 ...
1月22日，清華大學材料學院教授、博士生導師王琛老師帶領學校本科生、研究生一行26人，到訪上海天岳，進行社會實踐活動。 清華大學材料學院一行來訪上海天岳 上海天岳廠長隋曉明接待了清華大學師生一行，就師生們關心的碳化硅半導體材料的研發和行業應用進行了交流。清華師生們在了解了天岳先...
