2024年12月23日，國家知識產權局發布第二十五屆中國專利獎預獲獎結果，山東天岳先進科技股份有限公司作為專利權人申報的專利“一種高平整度、低損傷大直徑單晶碳化硅襯底”（專利號：ZL201811205291.2）榮獲第二十五屆中國專利銀獎。
中國專利獎是國家知識產權局和聯合國世界知識產權組織（WIPO）共同評選的國家級獎項，是中國專利領域的最高榮譽，重在強化知識產權創造、保護、運用，推動經濟高質量發展，鼓勵和表彰為技術（設計）創新及經濟社會發展做出突出貢獻的專利權人和發明人（設計人）。
獲獎專利在8英寸碳化硅襯底面型、高平整度、低粗糙度等性能提升和批量化制備方面具有領先優勢，突破了大尺寸高質量碳化硅半導體襯底加工技術，實現了國產化替代，具備引領行業發展的優勢。8英寸高質量碳化硅半導體襯底廣泛應用于電動汽車、光伏、儲能、5G 等領域，具有顯著的經濟、社會、環境效益。
天岳先進始終站在科技創新的前沿，以國家重大戰略需求為導向，深耕半導體材料領域，致力于打造具有國際競爭力的碳化硅產品。未來，天岳先進將繼續秉承自主創新的理念，不斷強化知識產權保護力度，用知識產權為核心技術保駕護航，不斷提高核心競爭力，打破國外壟斷局面，為中國半導體行業的繁榮發展貢獻一份力量！
