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4H 半絕緣型
SiC單晶襯底
4H Semi-Insulating
`
當前位置 >4H-半絕緣型襯底
天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
更好的滿足客戶的需求
目前可批量供應4英寸和6英寸產品
8英寸產品正在研發中
*更加詳細的產品信息歡迎咨詢營銷團隊
>聯系我們
基本信息
半絕緣型
晶型
4H
直徑（mm）
100 & 150
偏角（°）
0
厚度（μm）
500
表面狀態
Epi-ready
微波射頻器件
通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成HEMT等微波射頻器件，應用于信息通訊、無線電探測等領域。
散熱應用
散熱一直是影響器件壽命的主要原因之一，碳化硅材料的高熱導性和熱穩定性特征可以更有效的傳到熱量，提升散熱效果，優化整體系統。在熱沉應用領域正在受到越來越多的關注。
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