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4H 導電型
SiC單晶襯底
4H n-type
當前位置 > 4H-導電型碳化硅單晶襯底
天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
更好的滿足客戶的需求
目前可批量供應6英寸和8英寸導電型產品
*更加詳細的產品信息歡迎咨詢營銷團隊
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基本信息
導電型
晶型
4H
直徑（mm）
150/200
偏角（°）
4
厚度（μm）
350/500
表面狀態
Epi-ready
電力電子器件
通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層，制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件，應用在新能源汽車，軌道交通以及大功率輸電變電等領域。
高亮度LED
碳化硅與氮化鎵的熱失配和晶格失配小，外延層質量好，并且碳化硅具有良好的導熱和導電能力，在大功率LED方面具有非常大的優勢，采用碳化硅作為襯底的LED亮度高、能耗低、壽命長。
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