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碳化硅

晶體的生長原理

The Principle of Silicon Carbide Crystal Growth

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走近碳化硅 | 碳化硅晶體的生長原理

SiC的晶體結(jié)構(gòu)

SiC制備方法:物理氣相升華法(PVT法)

單一晶型穩(wěn)定生長的主要機制:臺階流動生長模式(Step Flow Growth)

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