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先進(jìn)技術(shù)引領(lǐng)發(fā)展!天岳先進(jìn)攜最新8英寸技術(shù)亮相Semicon China
2023-07-01   閱讀量:5572
      2023年6月29日,天岳先進(jìn)攜8英寸碳化硅襯底最新技術(shù)動態(tài)亮相Semicon China展會,受到高度關(guān)注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇公開了公司最新進(jìn)展。

公司展位備受關(guān)注


高超博士介紹公司最近技術(shù)進(jìn)展


       在產(chǎn)品方面,目前公司以6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底為主,滿足全球客戶的需求。產(chǎn)能上,公司上海臨港工廠已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品交付階段,持續(xù)發(fā)力提升6英寸襯底的產(chǎn)量;晶體質(zhì)量和厚度持續(xù)提升,規(guī)模化生產(chǎn)襯底質(zhì)量穩(wěn)定可靠。通過自主擴(kuò)徑技術(shù)制備的高品質(zhì)8英寸產(chǎn)品,目前也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。

高超博士介紹8英寸液相法進(jìn)展


      在技術(shù)及研發(fā)方面,一直以來,公司持續(xù)保持較高的技術(shù)研發(fā)投入,積極布局前瞻性技術(shù)。做為一種有潛力的碳化硅單晶制備新技術(shù),液相法備受關(guān)注。通過液相法獲得均勻且高品質(zhì)的晶體需要對溫場和流場進(jìn)行控制,具有較高的技術(shù)難度,公司在該技術(shù)上布局多年。近日,公司采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過熱場、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題,尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。
      除了產(chǎn)品尺寸,在大尺寸單晶高效制備方面,采用公司最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破60mm,而這對提升產(chǎn)能具有重要意義,該技術(shù)也是公司重點(diǎn)布局的技術(shù)方向之一。
      SiC半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展進(jìn)入快車道,特別是在高壓高功率領(lǐng)域優(yōu)勢更加凸顯,發(fā)展加速,新的應(yīng)用場景不斷涌現(xiàn),但最關(guān)鍵的襯底制備環(huán)節(jié)具有極高的技術(shù)門檻和較長的擴(kuò)產(chǎn)周期,加劇了供需缺口。公司繼續(xù)在產(chǎn)品尺寸、晶體厚度、襯底品質(zhì)等多維度持續(xù)加大研發(fā)和技術(shù)提升,始終保持領(lǐng)先,引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。

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