7月5日，半導體投資聯盟、ICT知識產權發展聯盟主辦的2025第九屆集微半導體大會在上海張江科學會堂圓滿閉幕。該大會自2017年創辦以來，受到業界廣泛好評和高度認可，成為中國半導體產業發展的“風向標”。大會同期舉行了第五屆ICT知識產權發展聯盟年會，匯聚了華為、小米、中興通訊、中微半導體、華大半導體等數十家國內龍頭企業參與，共同探討ICT產業知識產權領域的熱點議題，寬禁帶半導體產業代表企業天岳先進應邀參會并發表報告。

天岳先進知識產權及標準部總監楊世興分享了題為《第三代半導體IP破冰之路》的報告。他指出，材料作為半導體產業的基石，不僅決定了器件的性能上限，更引領著技術創新方向。寬禁帶半導體憑借其獨特優勢，在以電動汽車和綠色能源為代表的功率器件市場大放異彩的同時，在AR眼鏡和濾波器等新型應用也日漸成熟，在聲光電多領域的市場需求亦持續攀升。然而，作為新興產業，第三代半導體行業普遍面臨專利保護體系不完善、布局規模偏小等問題。楊世興強調，需要注重對于專利信息的分析和利用，通過建立知識產權共享機制、聯合參與國際標準制定等方法，持續突破技術壁壘，以在全球半導體產業格局中占據更主動的地位。

作為國家知識產權示范企業，天岳先進聚集全球頂尖研發資源，攻克了碳化硅材料生長、襯底加工等一系列世界性難題，掌握碳化硅晶體材料產業化的核心關鍵技術。同時，公司高度重視對創新成果的保護，早在2016年就入選了山東省首批關鍵核心技術知識產權群，并于2024年榮獲中國專利銀獎。通過不斷完善專利布局，天岳先進完成了對原料合成、籽晶制備、晶體生長、襯底加工等全流程的技術成果的有效保護。截至目前，公司累計獲得授權專利542項，并在歐洲、日本、韓國和中國臺灣地區獲得14項授權發明專利。根據法國Yole旗下的知識產權調查公司Knowmade統計，天岳先進在碳化硅襯底領域的專利規模位列全球第五，也是唯一進入該榜單前五名的中國企業。

在完善知識產權保護與布局支撐下，天岳先進在碳化硅襯底材料領域已經從技術先進性和產品供應、交付能力等方面引領行業發展，2024年，其全球導電型碳化硅襯底材料市場占有率升至全球第二，并于2025年率先在業內公布了導電型、半絕緣型、P型全產品系列12英寸技術，受到全球行業廣泛關注和認可。不僅如此，天岳先進基于其在碳化硅襯底材料領域的深厚積累，正持續強化知識產權保護和技術布局方面的領先優勢，向金剛石等更多新一代半導體材料領域進行多點布局，致力于發展成為國際著名的半導體公司。