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SICCではSiCパウダー合成から結(jié)晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結(jié)晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結(jié)晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質(zhì)なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法?昇華再結(jié)晶法）という成長技術(shù)でSiC単結(jié)晶を生産しています。
結(jié)晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術(shù)をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術(shù)を?qū)毪工毪胜伞⒆钕榷摔纬砷L技術(shù)に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結(jié)晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結(jié)晶SiCウェーハとなります。
完成した単結(jié)晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導(dǎo)體デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結(jié)晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金屬殘留を出來るだけ防ぎます(0.5ppm以內(nèi))。